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德可半导体D7112D已于2010年5月初投入量产

发布者::德可半导体公司   发布时间: :2010-06-05 15:46 浏览次数: :

 

德可半导体公司今日宣布,D7112D已在20105月初投入量产。D7112D是在D7118D基础上研制成功的射频前端模块Tx Module,内置射频功放和天线开关。该芯片使用pHEMTHBTCMOS工艺,内置隔直电容,产品体积小,降低了客户PCB面积和成本;内部集成ESD电感,天线端耐受能力ESD可达8KV。该适合GSM900/DCSGSM/GPRS手机应用。


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